Chiplet芯片CoWosR封装中SIPI设计
受摩尔定律放缓以及人工智能(AI)、云计算和大数据分析应用中对高性能计算(HPC)强烈需求的推动,芯粒集成在半导体行业受到广泛关注。业界首先采用了2.5D硅 interposer 技术(如CoWoS),随后开发出有机RDL interposer 技术(即CoWoS-R)。有机RDL interposer 可实现低电阻电容(RC)寄生互连,具备良好的信号隔离性,且作为有效应力缓冲层,能保护C4凸点连
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受摩尔定律放缓以及人工智能(AI)、云计算和大数据分析应用中对高性能计算(HPC)强烈需求的推动,芯粒集成在半导体行业受到广泛关注。为满足HPC需求,异构集成技术将高速计算单元、高带宽高容量存储单元及高速输入/输出(I/O)单元集成于芯粒中。业界首先采用了2.5D硅 interposer 技术(如CoWoS),随后开发出有机RDL interposer 技术(即CoWoS-R)。有机RDL interposer 可实现低电阻电容(RC)寄生互连,具备良好的信号隔离性,且作为有效应力缓冲层,能保护C4凸点连接,并减少 interposer 置于基板上时的翘曲现象。
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